人民财讯8月27日电，记者8月27日获悉，三安光电旗下湖南三安半导体正式发布首代高性能Trench MOSFET技术平台成果。湖南三安半导体已明确下一代Trench MOSFET技术规划：导通电阻（Ron,sp）目标将进一步下降超过20%。

在做电力电子设计的朋友，经常会遇到一个选择题：IGBT 和 MOSFET，到底该用哪个? 这两个器件都是“功率半导体”的代表选手，常出现在变频器、充电桩、电动汽车、电源模块等场景。但它们各自的“性格”不一样，理解清楚才能用得顺手。今天就带大家来拆解 ...

每个功率开关都需要一个驱动电路，这是必要的，但容易被忽视。栅极驱动电路对功率器件的开关过程有着非常重要的影响，本文分析了驱动电路的输出能力和杂散参数这两个参数。本文以 SiC MOSFET关断过程为基础，分析了与驱动电路输出能力和杂散参数相关的 ...

倾佳电子飞跨电容三电平拓扑的深度分析：起源、分类、技术特性与SiC MOSFET的协同应用 倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。他们主要服务于中国工业电源、电力电子设备和新能源汽车产业链。倾佳电子聚焦于新能源 ...

[导读]MOSFET内部的寄生电容(如门源电容Cgs、漏源电容Cds等)也会影响开关速度。高频应用中，寄生电容导致的开关延迟和电荷传输延迟是不可忽视的问题。 寄生电容：MOSFET内部的寄生电容(如门源电容Cgs、漏源电容Cds等)也会影响开关速度。高频应用中，寄生电容 ...

[导读]在数据中心直流供电系统向高密度、高频化演进的进程中，碳化硅(SiC)MOSFET凭借其低导通电阻、高频开关特性及高温稳定性，成为替代传统硅基IGBT和MOSFET的核心器件。 在数据中心直流供电系统向高密度、高频化演进的进程中，碳化硅(SiC)MOSFET凭借其低导通 ...

随着现代电子系统的功率密度持续提高，高效的热管理已成为确保系统性能、可靠性和使用寿命的关键因素 - 尤其是在工业驱动、汽车系统和供电等高功率应用领域。尽管通过PCB进行底部散热的方法已作为标准沿用多年，但顶部散热正逐渐成为一种更高效的替代 ...

电容-电压 (C-V) 测量广泛用于半导体材料和器件表征，可提取氧化物电荷、界面陷阱、掺杂分布、平带电压等关键参数。传统基于 SMU 施加电压并测量电流的准静态方法适用于硅 MOS，但在 SiC MOS 器件上因电容更大易导致结果不稳定。为解决这一问题，Keithley 4200A ...

近日，华为&山东大学联合报道了报道了应用氟注入终端结构的1200V全垂直Si基GaN沟槽MOSFET（FIT-MOS），氟注入终端FIT区域固有的具有负性电荷成为阻性区域，天然的隔离器件，取代了传统的mesa刻蚀终端（MET），消除了mesa边缘的电场集中效应，从而将FIT-MOS的BV从MET ...