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电容-电压 (C-V) 测量广泛用于半导体材料和器件表征，可提取氧化物电荷、界面陷阱、掺杂分布、平带电压等关键参数。传统基于 SMU 施加电压并测量电流的准静态方法适用于硅 MOS，但在 SiC MOS 器件上因电容更大易导致结果不稳定。为解决这一问题，Keithley 4200A ...

EtherCAT 是用于自动化的实时以太网协议。 它允许您使用 PC 或笔记本电脑控制标准工业设备，无需接口卡或特殊适配器。 它所需要的只是带有 RJ45 端口的标准以太网卡。 它提供低且非常可预测的延迟，因此它是构建现代 CNC、机器人和其他机器的完美运动控制网络。

[导读]MOSFET内部的寄生电容(如门源电容Cgs、漏源电容Cds等)也会影响开关速度。高频应用中，寄生电容导致的开关延迟和电荷传输延迟是不可忽视的问题。 寄生电容：MOSFET内部的寄生电容(如门源电容Cgs、漏源电容Cds等)也会影响开关速度。高频应用中，寄生电容 ...

[导读]在数据中心直流供电系统向高密度、高频化演进的进程中，碳化硅(SiC)MOSFET凭借其低导通电阻、高频开关特性及高温稳定性，成为替代传统硅基IGBT和MOSFET的核心器件。 在数据中心直流供电系统向高密度、高频化演进的进程中，碳化硅(SiC)MOSFET凭借其低导通 ...

人民财讯8月27日电，记者8月27日获悉，三安光电旗下湖南三安半导体正式发布首代高性能Trench MOSFET技术平台成果。湖南三安半导体已明确下一代Trench MOSFET技术规划：导通电阻（Ron,sp）目标将进一步下降超过20%。

由于 macOS 的安全性限制, 你需要允许 Mos 访问系统的辅助功能的访问权限以确保其正常运行 若 Mos 已在辅助功能的授权列表中, 只需取消勾选后再度勾选即可; 如果仍然无效, 请尝试将其从列表中移除再添加 可以在此处查看帮助: 无法正确获取辅助功能权限 Limited by ...

近日，华为&山东大学联合报道了报道了应用氟注入终端结构的1200V全垂直Si基GaN沟槽MOSFET（FIT-MOS），氟注入终端FIT区域固有的具有负性电荷成为阻性区域，天然的隔离器件，取代了传统的mesa刻蚀终端（MET），消除了mesa边缘的电场集中效应，从而将FIT-MOS的BV从MET ...

在设计MOS管开关电路时，就要充分了解MOS管的工作原理。下面咱们来详细说明。 MOS管的工作区域 当 V GS < V TH 时，MOS管工作在截止区域。在该区域中，MOS管处于关断状态，因为在漏极和源极之间没有感应沟道。 对于要感应的沟道和MOS管在线性或饱和区工作，V GS ...